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主頁 ? 新聞資訊 ? 行業動態 ? PCM和MRAM將主導新興內存市場

PCM和MRAM將主導新興內存市場

2022-05-07 10:31:13

相變存儲器和磁性ram兩種新興的非易失性存儲器類型,將在未來十年引領它們在獨立存儲器領域的領先地位。
 
雖然目前有多種新興內存技術正在開發中,英特爾的相變內存稱為 3D XPoint 內存或 Optane 將在 2025 年和 2030 年主導獨立的新興非易失性內存市場,這是部分原因是英特爾虧本出售內存。
 
新興內存定義為 PCM、MRAM、ReRAM 和 FeRAM 以及其他。不包括NAND、DRAM、NOR、SRAM、EEPROM等。
 
由英特爾提供的 PCM 將在 2025 年占獨立新興內存市場的 90%,而 MRAM將排在第二位,到 2030 年仍將如此。


本文關鍵詞:PCM,MRAM,SRAM


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