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MRAM具有FRAM高寫入速度和高耐用性優勢

2022-05-05 15:20:26

在最近幾年,就有許多新技術被稱為閃存殺手。有些人甚至提出了更高的標準,目標不亞于通用內存,一種可以進入內存層次結構的方法,最終取代 DRAM 和 SRAM。這很可能會發生,但與此同時,閃存的統治仍在繼續,未來仍不明朗。

MRAM基于磁隧道結(MTJ)的特性,與FRAM的鐵電材料非常相似,MTJ可以根據(磁)極化在低電阻和高電阻狀態之間切換細胞。MTJ的持續極化狀態可以通過磁場(需要相當高的電流)或通過自旋極化電流(可以低得多)來改變。前一種技術稱為Toggle MRAM,而后者稱為STT-MRAM。
 
在新興NVM市場中的當前位置來看,MRAM很可能正在取代NOR閃存(甚至可能是SLC NAND閃存)。它具有許多FRAM優勢(高寫入速度、低能量、高耐用性),沒有相關的縮放問題(當前自旋轉移矩(STT)MRAM實施存在于28nm工藝技術節點上,預計短期內會進一步縮小規模.
 
早在2016年,Everspin就通過其Quad SPI切換MRAM存儲器向嵌入式開發人員廣泛使用了MRAM技術。從那時起,產品組合不斷發展,一個1Gbit 28nm STT-MRAM與DDR接口@1333MT/s更證明該技術確實可以擴展(速度和密度)并提供可行的閃存的替代品。

本文關鍵詞:MRAM,Everspin,FRAM


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